FMCC GROUP
Компоненты и технические решения для силовой электроники

Тиристоры IGCT






IGCT (тиристор с интегрированным управлением) - это прогрессивный ключ с функциями включения и выключения для современных преобразовательных устройств средней и высокой мощности во всех сферах применения

Все IGCT фирмы ABB Semiconductors - прижимные приборы. Они прижимаются с достаточно большим усилием к охладителям, которые обеспечивают тепловой и электрический контакт к выводам тиристора. Так как IGCT по форме и содержанию является родственником GTO, он интересен заказчикам, использующим GTO для перехода к новым системным разработкам или для совершенствования существующего оборудования (с минимальными изменениями) на использование современной технологии IGCT. Драйвер, управляющий включением-выключением, интегрирован с прибором, ему требуется внешний источник питания. Передача импульсов управления прибором осуществляется через оптоволоконные соединения. Драйвер прибора потребляет в среднем от 20 до 50 Вт. Подобно GTO, IGCT также оптимизирован для получения низких потерь в прово-дящем состоянии. Средняя частота переключения - 500 Герц. IGCT необходима защитная цепь (индуктивный реактор), для ограничения скорости нарастания тока включения. Од-нако, в отличие от GTO, dv/dt снаббер необязателен, при его наличии максимально вы-ключаемый ток IGCT повышается. 

Асимметричные IGCT

Обозначение	VDRM	VDC	VRRM	ITGQM	ITAVM	ITSM		VT	VT0	rT	TVJM	RthJC	RthCH	Fm	VGIN
					Tc= 85°C	3 мс TVJM	10 мс TVJM	ITGQM TVJM	TVJM
	В	В	В	A	A	кA	кA	В	В	мОм	°C	K/кВт	K/кВт	кН	В
5SHY 35L4510	4500	2800	17	4000	1700	50	32	2.7	1.40	0.33	125	8.5	3	40	28-40
5SHY 35L4511	4500	2800	17	3800	1400	43	28	3.4	1.70	0.46	125	8.5	3	40	28-40
5SHY 35L4512	4500	2800	17	4000	2100	50	35	2.0	1.15	0.21	125	8.5	3	40	28-40
5SHY 55L4500	4500	2800	17	5500	1860	50	32	2.8	1.15	0.3	125	8.5	3	40	28-40
5SHY 42L6500	6500	4000	17	4200	1280	42	25	4.20	1.65	0.6	125	8.5	3	40	28-40

С обратным запиранием IGCTs
- оптимизированы для инверторов тока 

Обозначение

VDRM

VDC

VAC

ITGQM

ITAVM

VT

VT0

rT

Irr

di/dt max.

TVJM

RthJC

RthCH

Fm

VGIN

Tc= 85°C

ITGQM  TVJM

TVJM

В

В

В

A

A

В

В

мОм

A

A/мкс

°C

K/кВт

K/кВт

кН

В

5SHZ 04D6500

6500

6500

3900

400

170

7.00

2.60

11.0

TBD

1000

125

44

10.0

8

20

С обратной проводимостью IGCTs
- со встроенным обратным диодом, для выключения без снабберов

Обозначение	VDRM	VDC	ITGQM	ITAVM  /IFAVM	ITAVM  /IFAVM	VT /VF	VT0 /VFO	rT /rF	di/dt max.	Irr	TVJM	RthJC	Fm	VGIN
				Tc= 85°C	10VC  TVJM	ITGQM  TVJM	TVJM
	В	В	A	A	kA	В	В	мОм	A/мкс	A	°C	K/кВт	кН	В
5SHX 08F4510  GCT Diode part	4500	2800	630	250 130	5.0 6.1	3.00 5.70	1.80 2.80	2.00 4.60	300	400	115	40 53	16	28-40
5SHX 14H4510  GCT Diode part	4500	2800	1100	415 160	8.8 9.4	3.00 6.65	1.65 3.15	1.20 3.20	425	460	115	25 42	20	28-40
5SHX 26L4510  GCT Diode part	4500	2800	2200	1010 400	17.0 10.6	2.95 5.40	1.80 2.70	0.53 1.24	650	700	125	13 26	44
5SHX 06F6010  GCT Diode part	5500	3300	520	215 115	4.3 5.0	3.50 6.30	2.30 3.30	2.30 5.80	220	320	115	40 53	16
5SHX 10H6010  GCT Diode part	5500	3300	900	355 165	7.5 7.6	3.45 6.40	1.65 2.53	2.00 4.30	340	430	115	25 42	20
5SHX 19L6010  GCT Diode part	5500	3300	1800	840 340	18.0 7.7	3.45 6.40	1.90 2.70	0.90 2.23	510	780	125	13 26	44	28-40