FMCC GROUP
Компоненты и технические решения для силовой электроники

Тиристоры IGCT






IGCT (тиристор с интегрированным управлением) - это прогрессивный ключ с функциями включения и выключения для современных преобразовательных устройств средней и высокой мощности во всех сферах применения

Все IGCT фирмы ABB Semiconductors - прижимные приборы. Они прижимаются с достаточно большим усилием к охладителям, которые обеспечивают тепловой и электрический контакт к выводам тиристора. Так как IGCT по форме и содержанию является родственником GTO, он интересен заказчикам, использующим GTO для перехода к новым системным разработкам или для совершенствования существующего оборудования (с минимальными изменениями) на использование современной технологии IGCT. Драйвер, управляющий включением-выключением, интегрирован с прибором, ему требуется внешний источник питания. Передача импульсов управления прибором осуществляется через оптоволоконные соединения. Драйвер прибора потребляет в среднем от 20 до 50 Вт. Подобно GTO, IGCT также оптимизирован для получения низких потерь в прово-дящем состоянии. Средняя частота переключения - 500 Герц. IGCT необходима защитная цепь (индуктивный реактор), для ограничения скорости нарастания тока включения. Од-нако, в отличие от GTO, dv/dt снаббер необязателен, при его наличии максимально вы-ключаемый ток IGCT повышается. 

Асимметричные IGCT

 Обозначение   VDRM  VDC VRRMITGQM ITAVM  ITSM VT VT0 rT TVJM RthJC RthCH Fm VGIN   
 Tc= 85°C 3 мс
TVJM
 10 мс
TVJM
 ITGQM
TVJM
 TVJM
 В В В A A кA кA В В мОм  °C K/кВт K/кВт кН В
                
 5SHY 35L4510 45002800  174000  1700 5032 2.7 1.40  0.33125  8.5  40 28-40
 5SHY 35L4511 4500 2800 17 3800 1400 43 28 3.4 1.70 0.46 125 8.5  3 40 28-40
 5SHY 35L4512 4500 2800 17 4000 2100 50 35 2.0 1.15 0.21 125 8.5  3 40 28-40
 5SHY 55L4500 4500 2800 17 5500 1860 50 32 2.8 1.15 0.3 125 8.5  3 40 28-40
 5SHY 42L6500 6500 400017  4200 128042  25 4.20 1.650.6  1258.5  3 4028-40 

С обратным запиранием IGCTs
- оптимизированы для инверторов тока 

ОбозначениеVDRM  VDC VACITGQM ITAVM  VT VT0 rTIrr  di/dt
max.
 TVJM RthJC RthCH Fm VGIN
 Tc= 85°C ITGQM
 TVJM
      TVJM
 В В В A A В В мОм A A/мкс  °C K/кВт K/кВт кН В
                
5SHZ 04D6500 65006500  3900400  1707.00  2.6011.0 TBD 1000125  44 10.0 820

С обратной проводимостью IGCTs
- со встроенным обратным диодом, для выключения без снабберов

Обозначение              VDRM  VDCITGQM ITAVM 
/IFAVM
ITAVM 
/IFAVM
 
 VT
/VF
 VT0
/VFO
 rT
/rF
di/dt
max.
 Irr  TVJM RthJC  Fm VGIN
 Tc= 85°C 10VC
 TVJM
 ITGQM
 TVJM
      TVJM
 В В A A kA В В мОм A/мкс A  °C K/кВт кН В
               

 5SHX 08F4510  GCT
Diode part

 45002800 630250
130
 5.0
6.1
 3.00
5.70
1.80
2.80
2.00
4.60
 300 40011540
53
 16 28-40

 5SHX 14H4510  GCT
Diode part

 4500 2800 1100 415
160
 8.8
9.4
 3.00
6.65
 1.65
3.15
 1.20
3.20
 425 460 115 25
42
 20 28-40

 5SHX 26L4510  GCT
Diode part

 4500 2800 2200 1010
400
 17.0
10.6
 2.95
5.40
 1.80
2.70
 0.53
1.24
 650 700 125 13
26
 44 

 5SHX 06F6010  GCT
Diode part

 5500 3300 520 215
115
 4.3
5.0
 3.50
6.30
 2.30
3.30
 2.30
5.80
 220 320 115 40
53
 16 

 5SHX 10H6010  GCT
Diode part

 5500 3300 900 355
165
 7.5
7.6
 3.45
6.40
 1.65
2.53
 2.00
4.30
 340 430 115 25
42
 20 

 5SHX 19L6010  GCT
Diode part

 5500 3300 1800 840
340
 18.0
7.7
  3.45
6.40
 1.90
2.70
 0.90
2.23
 510 780 125 13
26
 44 28-40