FMCC GROUP
Компоненты и технические решения для силовой электроники

Запираемые тиристоры GTO

Запираемый тиристор (GTO) — это ключ, который может быть выключен или включен посредством управляющего электрода. Для его работы требуется источник тока, а потребляемая им мощность выше, чем у ключей IGBT и IGCT.

Запираемый тиристор (GTO) – высокомощный полупроводниковый ключ, созданный для применения в промышленных целях, в цепях с высокими напряжениями и большими токами. GTO относится к транзисторной электронике, поэтому представляет собой четырехслойную структуру и с тремя переходами (n+pnp+). Они отличаются от обычных тиристоров тем, что приложении отрицательного напряжения к затвору они выключаются, что приводит к протеканию обратного току в цепи управления. Благодаря этому, нет необходимости реверсировать анодное напряжение для эффективного отключения и в результате отпадает необходимость в дорогостоящих коммутационных цепях, применяемых обычно в инверторах на тиристорах и время выключения значительно меньше.

С другой стороны, в проводящем состоянии, GTO работает как обычный тиристор, при этом эмиттера катода инжектирует электроны n+ а эмиттер анода инжектирует дырки p+ в базовую область. Получающаяся в результате платность плазмы очень высока и вследствие чего низкое падение напряжения на GTO по сравнению с диодом. Для улучшения отключающей способности p-n переход между управляющим электродом и катодом должен иметь решетчатую структуру.

Запираемые тиристоры разработаны для низких потерь в проводящем состоянии. Стандартная частота переключения — 200-500 Гц. Время переключения от одного состояния к другому и обратно колеблется от 10 до 30 мкс, поэтому они считаются сравнительно медленными. При выключении всем ключам GTO требуется защита от скорости увеличения прямого напряжения, а при включении — защитная цепь, которая ограничит скорость нарастания прямого тока.

Все запираемые тиристоры (GTO) производятся в таблеточных корпусах. Такая конструкция позволяет им надежно прижиматься к охладителям, которые обеспечивают электрический и тепловой контакт к выводам тиристора.

Standard

Обозначение VDRM VDC VRRM ITGQM at CS ITAVM ITSM VT VT0 rT TVJM RthJC RthCH Fm Корпус
Tc =85°C

8.3 мс TVJM

10 ms
TVJM

ITGQM
TVJM

TVJM

В

В

В

A

мкФ

A

кA кA

В

В

мОм °C K/кВт K/кВт кН
                 
5SGA 15F2502 2500 1400

17

1500 3 570 10.6

10

2.8 1.45 0.90 125

27

8

15

F

5SGA 20H2501 2500 1400

17

2000 4 830 17.0

16

2.8 1.66 0.57 125

17

5

20

H

5SGA 25H2501 2500 1400

17

2500 6 830 17.0

16

3.1 1.66 0.57 125

17

5

20

H

5SGA 30J2501 2500 1400

17

3000 5 1300 31.0

30

2.5 1.50 0.33 125

12

3

40

J

                 
5SGA 06D4502 4500 2800

17

600 1 195 3.1

3

4.0 1.90 3.50 125

50

8

10

D

5SGA 20H4502 4500 2800

17

2000 4 710 14.0

13

3.5 1.80 0.85 125

17

5

20

H

5SGA 30J4502 4500 2800

17

3000 6 930 25.0

24

4.0 2.20 0.60 125

12

3

40

J

5SGA 40L4501 4500 2800

17

4000 6 1000 26.0

25

4.4 2.10 0.58 125

11

3

40

L

Buffer Layer

-низкие потери при включении и коммутациях

Обозначение VDRM VDC VRRM ITGQM при CS ITAVM ITSM VT VT0 rT TVJM RthJC RthCH Fm Корпус
Tc =85°C

8.3 мс
TVJM

10 ms
TVJM

ITGQM
TVJM

TVJM

В

В

В

A

мкФ

A

кA кA

В

В

мОм °C K/кВт K/кВт кН
                 
Fine Pattern Type               
5SGF 30J4502 4500 3000

17

3000 3 960 25 24 3.90 1.80 0.70 125

12

3

33

J

5SGF 40L4502 4500 2800

17

4000 6 1180 26 25 3.80 1.20 0.65 125

11

3

40

L