FMCC GROUP
Компоненты и технические решения для силовой электроники

Обратные диоды

обратные диоды abb semiconductors

Обратные диоды обеспечивают быстрое и плавное выключения. Обратные диоды имеют малый заряд обратного восстановления, высокую способность di/dt при выключении. Обратные диоды идеально подходят для работы с GTO и IGCT.

Особенности обратных диодов

  • быстрое и плавное выключение
  • маленький заряд обратного восстановления
  • high di/dt capability at turn-off
  • подходят для работы с GTO и IGCT
  • выдерживаемое расчетное значение космического излучения

Диоды быстрого восстановления

Быстродействующие диоды используются в преобразователях постоянного тока в переменный. Каждый ключ (GTO, IGCT или IGBT) требует дополнительного диода (например, для обратной реактивной мощности) с целью преобразования постоянного тока в переменный при индуктивных нагрузках.

Быстродействующие диоды оптимизированы для больших динамических нагрузок (быстрый переход от проводящего к непроводящему состоянию). Они имеют более высокие потери в проводящем состоянии, чем выпрямительные диоды. Для каждой типа ключей (GTO, IGCT и IGBT) мы предлагаем быстродействующие диоды, спроектированные для использования с соответствующими ключами.

Обратные диоды для GTO тиристоров

ОбозначениеVRRM VDC

IFAVM

IFSM

VF0 rFIrr Qrr TVJM RthJC RthCH Fm Корпус
Tc= 85°C 1 мс
TVJM
10 мс
TVJM

TVJM

di/dt=300 A/мкс
ВВ A кA кA V мОм

A

мкКл

°C K/кВт K/кВт кН 
               
5SDF 05D2505 2500 1500 420 27 8.5 1.7 0.62 470 840125 40 8 11 D
5SDF 11F2501 2500 1500 950 65 21 1.20.38 550 1200 125 20 5 22 F
5SDF 07F4501 2500 2800 650 44 16 1.41.00 600 1900 125 20 5 22 F
5SDF 13H4501 2500 2800 1200 60 25 1.30.48 800 3000 125 12 3 40 H
5SDF 14H4505 2500 2200 1400 60 25 1.20.32 1000 3700 125 12 3 40 H
5SDF 10H6004 6000 3800 1100 44 18 1.50.60 1000 4700 125 12 3 40 H

Разгрузочные (снабберные диоды)

Описание VRRM VDC

IFAVM

IFSM

VF0 rFIrr Qrr TVJM RthJC RthCH Fm Корпус
Tc= 85°C 1 мс
TVJM
10 мс
TVJM

TVJM

di/dt=100 A/мкс
В В A кA кA В мОм

A

мкКл

°C K/кВт K/кВт кН 
               
5SDF 05D2501 2500 1100

490

27 8.5 1.4 0.5 250 900 125 40 8 11

D

5SDF 03D4501 4500 2400

320

12 5.0 2.0 1.5 200 1000 125 40 8 11

D

5SDF 07H4501 4500 2400

900

40 16 1.8 0.9 260 1700 125 12 3 40

H

5SDF 02D6002 6000 3000

250

11.4 3.6 2.5 2.5 260 2000 125 40 8 11

D

Диоды для IGCT

ОписаниеVRRM VDC

IFAVM

IFSM

VF0 rF

Irr

TVJM RthJC RthCH Fm Корпус
Tc= 85°C 1 мс
TVJM
10 мс
TVJM

TVJM

В В A кA кA В мОм

A

°C K/кВт K/кВт кН 
              
5SDF 03D4502 45002800

275

10 5 2.15 2.80 355 115 40 8 16

D

5SDF 05F4502 45002800

435

32 16 2.42 2.10 610 115 17 5 20

F

5SDF 10H4502 45002800

810

40 24 2.42 1.10 1150 115 12 3 44

H

5SDF 10H4503 45002800

1100

47 20 1.75 0.88 1520 125 12 3 40

H

5SDF 10H4520 4500 2800

1440

56 25 1.75 0.88 1600 140 10 3 40

H

5SDF 16L4503 4500 2800

1650

47 26 1.90 0.79 1200 125 6.5 3 40

L

5SDF 02D6004 5500 3300

175

8 3 3.35 7.20 300 115 40 8 16

D

5SDF 04F6004 5500 3300

380

22 10 2.70 2.80 600 115 22 5 22

F

5SDF 08H6005 5500 3300

585

40 18 4.50 1.30 900 115 12 3 44

H